SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. Şirket, yeni NAND çiplerinin önceki nesilden %15 daha ince olduğunu ve düşük güçte sınıfının en iyi sıralı okuma performansını sunduğunu söylüyor. PCIe NVMe SSD seviyesinde performans
238 katmana sahip önceki nesille karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn‘e kadar çıkabiliyor. Öyle ki, bu performans PCIe NVMe Gen 3 SSD’leri dahi aşabiliyor.
Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm’den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıca önceki nesle göre güç tüketimini %7 azaltmış.
SK Hynix, sıralı okuma hızının cihaz içi yapay zeka performansını artıracağını ve iyileştirilmiş rastgele performansın çoklu görevlerde avantaj sağlayacağını belirtiyor.
Şirket, depolama birimini 512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Dolayısıyla yeni çip üst seviye telefonlarda kendine yer bulacak. SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.
